天博电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料

　　天博电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料650V,10A,至252-2包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV)逆变器和消费电子产品。 特点最低正向电压(V) f )工业温度下降零反回收电荷(q) Rr )用于超快转换操作强有力的MPS技术高反向电压阻断能力当前硅二极管

　　1200 V、4 mΩ、XM3、半桥 SiC 电源模块Wolfspeed 开发了 XM3 电源模块平台，以最大限度地发挥碳化硅的优势，同时保持模块和系统设计的稳健性、简单性和成本效益。XM3 电源模块的重量和体积仅为标准 62 毫米模块的一半，可最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低环路电感并实现简单的电源总线°C 的连续结操作

　　用于并联 SiC 电源模块的 1200 V天博、1.33 mΩ天博、HM 高性能 62 mm、半桥右 GKWolfspeed 开发了 HM 功率模块平台，以在功率密度敏感的应用中发挥碳化硅的优势，同时保持 62mm 模块的基板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板以确保极端条件下的机

　　1700 V、2.5 mΩ、HM 高性能 62 mm、半桥 SiC 电源模块Wolfspeed 开发了 HM 功率模块平台，以在功率密度敏感的应用中发挥碳化硅的优势，同时保持 62mm 模块的基板兼容性。HM 平台的碳化硅优化封装可实现 175°C 的连续结操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板以确保极端条件下的机械鲁棒性和轻质 AlS

　　1200 V、11 mΩ、48 mm、AlN GM3、半桥、工业、第 3 代、SiC 电源模块Wolfspeed的CAB011A12GM3是一款半桥配置的无底板电源模块，可满足中等功率应用的要求；提供整个电力电子连续体的解决方案。对于想要提高紧凑型器件的效率和功率密度的设计人员来说，Wolfspeed WolfPACK™ 模块是一个不错的选择。行业标准占地面

　　具有预涂热界面材料的 1200 V、6 mΩ、GM3、半桥 SiC 功率模块Wolfspeed 的 CAB006M12GM3 是一款采用半桥配置的无底板电源模块，具有预涂热界面材料，可满足中等功率应用的要求，提供跨电力电子连续体的解决方案。对于想要在紧凑的行业标准封装中提高效率和功率密度的设计人员来说，Wolfspeed WolfPACK™ 模块是一个不错的

　　180W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；采用 28 伏电源轨运行；提供通用用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 效率高；高增益和宽带宽能力；使 CGH40180PP 成为线性和压缩放大器电路的

　　CHA5266 -FAB是一款单片 GaAs 中等功率放大器，采用无引线表面贴装密封金属陶瓷 6x6mm² 封装。它设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。该电路采用 pHEMT 工艺、0.25μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。 放大器 – MPA 参考射频带宽 (GHz)增

　　CHKA012a99F 是一款 140W 氮化镓高电子迁移率晶体管。该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供通用宽带解决方案。它是在 SiC 衬底上采用 0.5μm 栅极长度 GaN HEMT 技术开发的，符合法规，特别是 RoHS N°2011/65 和 REACh N°1907/2006 指令它采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。 氮化镓功率晶体管 参

　　CHM1270a98F 是一款双通道自偏置发射器/接收器。一个用于接收的 RF 端口，一个用于发射和接收的端口。该产品专为实现最佳中频噪声性能而设计。该电路非常适合W波段的传感器系统，例如汽车远程雷达和工业传感器。该电路采用 BES MMIC 工艺制造：1 µm 极高 Ft 肖特基二极管器件、空气桥、穿过基板的通孔。它采用芯片形式，具有 BCB 顶层保护天博。